一种高强度的半导体芯片
基本信息
申请号 | CN202020618017.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN211719577U | 公开(公告)日 | 2020-10-20 |
申请公布号 | CN211719577U | 申请公布日 | 2020-10-20 |
分类号 | H01L23/29(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 李进军 | 申请(专利权)人 | 高劲(广东)芯片科技有限公司 |
代理机构 | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高劲(广东)芯片科技有限公司 |
地址 | 528300广东省佛山市顺德区勒流街道冲鹤村富安工业区28-2号地块三座502单元之五 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种高强度的半导体芯片,包括芯片主体,所述芯片主体的外表面设置有耐燃层,所述耐燃层远离芯片主体的一侧设置有耐高温层,所述耐高温层包括聚亚苯基层,所述聚亚苯基层远离耐高温层的一侧设置有聚芳醚层,所述聚亚苯基层和聚芳醚层的厚度相同,所述耐高温层远离耐燃层的一侧设置有外表层,所述外表层包括抗燃纤维层,所述抗燃纤维层远离外表层的一侧设置有绝缘涂层,所述绝缘涂层远离抗燃纤维层的一侧设置有阻燃薄膜层。本实用新型通过设置芯片主体、耐燃层、耐高温层、外表层和绝缘螺丝的相互配合,达到了阻燃效果好的优点,不会影响半导体芯片的使用效果,可以满足使用者的使用需求。 |
