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一种太阳能电池的制备工艺

基本信息

申请号 CN201811207806.2 申请日 -
公开（公告）号 CN111063760B 公开（公告）日 2022-06-14
申请公布号 CN111063760B 申请公布日 2022-06-14
分类号 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/0288（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 陈孝业;蒋秀林 申请（专利权）人 晶澳太阳能有限公司
代理机构 广州知友专利商标代理有限公司 代理人 -
地址 055550河北省邢台市宁晋县晶龙大街267号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：S1：在硅基体的至少一个表面上设置本征硅层；S2：在所述本征硅层上设置掺杂源层；S3：使与所述本征硅层预设区域对应位置处的所述掺杂源层的掺杂源分解出掺杂离子并使所述掺杂离子进入所述本征硅层的预设区域，在所述本征硅层的预设区域形成掺杂区域，同时在所述掺杂区域上形成有含掺杂源的氧化硅保护层；S4：去除所述本征硅层上设置有掺杂源层的未掺杂区域，在所述硅基体的至少一个表面上形成局部掺杂硅层。该工艺利用激光完成局部掺杂多晶硅层或非晶硅层，工艺简洁可行。