一种III族氮化物半导体雪崩光电二极管探测器专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种III族氮化物半导体雪崩光电二极管探测器

基本信息

申请号	CN201611152406.7	申请日	-
公开（公告）号	CN106711253B	公开（公告）日	2018-07-27
申请公布号	CN106711253B	申请公布日	2018-07-27
分类号	H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/18	分类	基本电气元件;
发明人	江灏;罗睿宏;李顺峰	申请（专利权）人	江苏华功第三代半导体产业技术研究院有限公司
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	江苏华功第三代半导体产业技术研究院有限公司
地址	215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种III族氮化物半导体雪崩光电二极管探测器。包括衬底及生长在衬底之上的外延层。外延层自下而上的顺序依次为非故意掺杂氮化物缓冲层，非故意掺杂氮化物过渡层，重掺杂n型氮化物欧姆电极接触层，非均匀掺杂p型氮化物有源层，p型掺杂氮化物层和重掺杂p型氮化物欧姆电极接触层。本发明同时公开器件制备方法，包括：利用多次光刻及干法刻蚀制作器件边缘的台阶，在所述的p型欧姆接触层及n型欧姆接触层分别蒸镀p型及n型金属电极，经过合金与半导体形成欧姆接触。本器件结构增强了雪崩光电二极管有源区的电场强度，通过有效提高有源区场强、降低器件边缘漏电流，实现氮化物雪崩光电探测器的低暗电流、高增益、高探测响应度性能。