一种基于异质结二维电子气的新型光电位置敏感探测器及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种基于异质结二维电子气的新型光电位置敏感探测器及其制备方法

基本信息

申请号	CN202210086892.6	申请日	-
公开（公告）号	CN114597271A	公开（公告）日	2022-06-07
申请公布号	CN114597271A	申请公布日	2022-06-07
分类号	H01L31/0336;H01L31/109;H01L31/18	分类	基本电气元件;
发明人	朱家旗;单玉凤;朱贺;梁新栋;吴惠桢;邓惠勇;戴宁	申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所
代理机构	杭州中成专利事务所有限公司	代理人	李亦慈;唐银益
地址	310024 浙江省杭州市西湖区象山支弄1号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于异质结二维电子气的新型光电位置敏感探测器及其制备方法,探测器由上到下依次为：设置于四边的金属电极、CdTe层、PbTe层和BaF2衬底，CdTe层和PbTe层构成异质结，CdTe层和PbTe层的界面之间是自然形成的二维电子气，二维电子气与金属电极是欧姆接触。采用MBE的方法，生长了CdTe/PbTe异质结，其界面处自然产生高浓度高迁移率的二维电子气，得益于异质结材料自身的物理特性与二维电子气新奇的侧向光伏效应，该器件的工作波长超过可见光，工作波段也很宽，可涵盖中短红外波段，而且其线性响应度较为优异。该器件结构简单，制备方法简便可控，成本低廉，工作原理新奇独特，工作范围涵盖中短红外波段，兼具科研与实用价值。