一种共栅控的铟镓砷阵列光电探测器结构
基本信息
| 申请号 | CN202210123383.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114551488A | 公开（公告）日 | 2022-05-27 |
| 申请公布号 | CN114551488A | 申请公布日 | 2022-05-27 |
| 分类号 | H01L27/146（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马英杰;王嵩阳;李雪;龚海梅 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 代理机构 | 上海沪慧律师事务所 | 代理人 | - |
| 地址 | 200083上海市虹口区玉田路500号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种共栅控的铟镓砷阵列光电探测器结构，在像素微台面的侧壁沉积具有强导电性能的金属镀层形成栅电极，利用栅电极控制侧壁表面外加电场的方向和大小，像素栅电极并联形成等电势共栅结构，降低侧壁表面积累或反型的载流子浓度。本发明可显著减小器件表面漏电流，降低探测器总暗电流和噪声，适用于铟镓砷单元和阵列探测器芯片的制造，提升微光夜视、光谱成像、物质光谱检测等短波红外探测系统的灵敏度和应用水平。 |
