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一种宽谱铟镓砷焦平面的结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN202210123379.X 申请日 -
公开（公告）号 CN114551618A 公开（公告）日 2022-05-27
申请公布号 CN114551618A 申请公布日 2022-05-27
分类号 H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/101（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;G01J3/28（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李雪;刘雅歌;马英杰;顾溢;李淘 申请（专利权）人 中国科学院上海技术物理研究所
代理机构 上海沪慧律师事务所 代理人 -
地址 200083上海市虹口区玉田路500号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种宽谱铟镓砷焦平面的结构及其制备方法，宽谱铟镓砷焦平面的基底为InP，自基底起依次有InP腐蚀牺牲层，周期性薄层低维量子点层，腐蚀截止层，In0.83Ga0.17As吸收层和重掺杂接触层；还公开了一种制备所述探测器的方法，主要步骤为：1）产生混成结构In0.83Ga0.17As焦平面探测器；2）机械研磨去除InP基底层；3）化学腐蚀去除牺牲层；4）干法等离子刻蚀去除部分截止层；本发明的优点在于实现单片响应范围覆盖400‑2600nm的铟镓砷焦平面探测器，可简化各类高光谱成像系统的光路，降低功耗、体积、重量，提升探测敏感度。