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新型DFN封装半导体

基本信息

申请号	CN202120386030.6	申请日	-
公开（公告）号	CN214477424U	公开（公告）日	2021-10-22
申请公布号	CN214477424U	申请公布日	2021-10-22
分类号	H01L23/495;H01L23/467;H01L23/367;H01L25/07	分类	基本电气元件;
发明人	万翠凤;刘志坤;周峰;张中华;王春蕾	申请（专利权）人	江苏爱矽半导体科技有限公司
代理机构	徐州创荣知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	陈俊杰
地址	221000 江苏省徐州市徐州经济技术开发区凤凰湾电子信息产业园A9、A10号厂房
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种新型DFN封装半导体，包括框架和功能芯片，框架为矩形形状，框架的中心位置设有隔离带，隔离带将框架分为至少对称的四个基岛，每个基岛由内向外分别设有散热孔和引脚；散热孔形状与功能芯片相同且尺寸小于功能芯片，功能芯片设置在散热孔上方且通过焊线与各自基岛上的引脚焊接，相邻两个功能芯片也通过焊线连接，框架、功能芯片和焊线通过塑封体塑封起来。本实用新型框架上设有多个基岛，可以安装单芯片，也可以安装多个芯片，一种框架可以适用于不同种类的产品，解决了框架种类繁多的问题；N型MOS和P型MOS相互桥接，减少引脚数量，并提供优异的MOS电阻值，兼容性更佳，散热片最大程度地外露，具有优异的散热性能。