读取电压设定方法、存储器存储装置及存储器控制器
基本信息
| 申请号 | CN202210232133.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114724596A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114724596A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | G11C7/14（2006.01）I;G11C16/26（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 刘其铠 | 申请（专利权）人 | 深圳宏芯宇电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518031广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园2栋2501、2401、1501 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供读取电压设定方法、存储器存储装置及存储器控制器。此方法包括：取得第一实体群组对应的第一老化等级，并使用对应至第一老化等级的第一读取电压读取第一实体群组包括的至少一第一实体程序化单元；判断第一实体程序化单元的预设区段中的错误比特数目是否大于错误比特数门槛值，并对错误比特数目被判定为大于错误比特数门槛值的次数进行计数而产生第一计数值；响应于第一计数值大于第一老化门槛值而将第一实体群组对应的第一老化等级更新为第二老化等级；以及使用对应至第二老化等级的第二读取电压从第一实体程序化单元读取数据。 |
