无负载的包含有四个NMOS晶体管的静态随机存储器
基本信息
| 申请号 | CN200810102307.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101540195B | 公开（公告）日 | 2011-12-21 |
| 申请公布号 | CN101540195B | 申请公布日 | 2011-12-21 |
| 分类号 | G11C11/412(2006.01)I;G11C11/419(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 张万成;吴南健 | 申请（专利权）人 | 无锡中科智联科技研发中心有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 中国科学院半导体研究所;无锡中科智联科技研发中心有限公司 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种静态随机存储器SRAM单元，以及加快该SRAM单元写入速度的方法。该静态随机存储器单元由具有双栅结构的N沟道FinFET组成，包含一对下拉NMOS管和一对存取NMOS管。一方面，存取MOS管具有较小的沟道长度，而下拉MOS管具有较大的沟道长度。在SRAM为保持模式时，存取MOS管相对于下拉MOS管有较大的漏电流，使得SRAM单元可以有效保持逻辑1。另一方面，SRAM单元中存储节点的电压分别被反馈到存取MOS管和下拉MOS管的背栅上。在SRAM为读取模式时，下拉MOS管相对于存取MOS管有较大的开启状态电流，使得SRAM单元可以有效保持逻辑0。 |
