InAs/InAsSbII类超晶格材料及其制备方法和红外波段探测器
基本信息
| 申请号 | CN202011445045.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112563352A | 公开（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申请公布号 | CN112563352A | 申请公布日 | 2021-03-26 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杜鹏 | 申请（专利权）人 | 湖南科莱特光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王闯 |
| 地址 | 410000湖南省长沙市雨花区振华路579号康庭园一期18号栋北侧一层、二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种InAs/InAsSb II类超晶格材料及其制备方法和红外波段探测器。InAs/InAsSb II类超晶格材料，包括层叠设置的InAs层和InAsSb层；InAsSb层包括至少一个单分子层，每个单分子层均包括InAs部分和InSb部分。InAs/InAsSb II类超晶格材料的制备方法：采用分子束外延方法在衬底上生长InAs层，然后在InAs层上生长InAsSb层。红外波段探测器，其吸收区材料包括InAs/InAsSb II类超晶格材料。本申请提供的InAs/InAsSb II类超晶格材料，具有束缚态载流子效应，可以抑制俄歇效应和非辐射复合过程，达到提升超晶格材料发光性能的目的。 |
