半导体材料及其制备方法和应用、激光器、光电探测器
基本信息
| 申请号 | CN202010445691.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111584657A | 公开（公告）日 | 2020-08-25 |
| 申请公布号 | CN111584657A | 申请公布日 | 2020-08-25 |
| 分类号 | H01L31/0304(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 杜鹏 | 申请（专利权）人 | 湖南科莱特光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 湖南科莱特光电有限公司 |
| 地址 | 410000湖南省长沙市雨花区振华路579号康庭园一期18号栋北侧一层、二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体领域，具体而言，提供了一种半导体材料及其制备方法和应用、激光器、光电探测器。所述半导体材料包括依次设置的硅衬底、第一GaAs缓冲层、GaSb缓冲层和InAs(Sb)/InxGa1‑xAsySb1‑y超晶格，其中0 |
