InAs/GaSb缓冲层、硅基锑化物半导体材料及其制备方法和元器件
基本信息
| 申请号 | CN202011595232.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112688157A | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN112688157A | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | H01S5/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杜鹏 | 申请（专利权）人 | 湖南科莱特光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王闯 |
| 地址 | 410000湖南省长沙市雨花区振华路579号康庭园一期18号栋北侧一层、二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种InAs/GaSb缓冲层、硅基锑化物半导体材料及其制备方法和元器件。InAs/GaSb缓冲层包括一个或多个基本缓冲单元，每个基本缓冲单元包括一个或多个基本单元层，每个基本单元层包括一组或多组交替设置的GaSb部分和InAs部分。硅基锑化物半导体材料包括硅衬底和纯镓锑层，硅衬底和纯镓锑层之间设置有InAs/GaSb缓冲层。其制备方法包括：在硅衬底上生长GaSb部分和InAs部分得到多个基本单元层；然后生长纯镓锑层。元器件，其原料包括InAs/GaSb缓冲层或硅基锑化物半导体材料。本申请提供的InAs/GaSb缓冲层能够降低硅与GaSb间的晶格失配，从而实现高质量锑化物外延生长。 |
