垂直型III-V族超晶格材料、具有超晶格分布的InGaAsSb四元合金及制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

垂直型III-V族超晶格材料、具有超晶格分布的InGaAsSb四元合金及制备方法

基本信息

申请号	CN202010846114.3	申请日	-
公开（公告）号	CN111934200A	公开（公告）日	2020-11-13
申请公布号	CN111934200A	申请公布日	2020-11-13
分类号	H01S5/34(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	杜鹏	申请（专利权）人	湖南科莱特光电有限公司
代理机构	北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	湖南科莱特光电有限公司
地址	410000湖南省长沙市雨花区振华路579号康庭园一期18号栋北侧一层、二层
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种垂直型III‑V族超晶格材料、具有超晶格分布的InGaAsSb四元合金及制备方法，涉及半导体材料技术领域，本发明的垂直型III‑V族超晶格材料包括：具有倾角且呈台阶状的衬底，以及，位于衬底上且垂直衬底的超晶格半导体结构；超晶格半导体结构包括垂直衬底分布且交替叠置的第一材料竖层和第二材料竖层，衬底的每个台阶上分布有一个周期的第一材料竖层和第二材料竖层，第一材料竖层和所述第二材料竖层形成超晶格结构；第一材料竖层包括重复层叠生长的第一材料单分子层；第二材料竖层包括重复层叠生长的第二材料单分子层；第一材料和第二材料为不同的III‑V族化合物。这种新型超晶格结构具有纵向的载流子传输优势。