嵌入量子线的超晶格材料及其制备方法、红外波段发光材料和探测器专利查询专利号|摘要-满商公司网

嵌入量子线的超晶格材料及其制备方法、红外波段发光材料和探测器

基本信息

申请号	CN202010822697.6	申请日	-
公开（公告）号	CN111916511A	公开（公告）日	2020-11-10
申请公布号	CN111916511A	申请公布日	2020-11-10
分类号	H01L31/0352(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	杜鹏	申请（专利权）人	湖南科莱特光电有限公司
代理机构	北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	湖南科莱特光电有限公司
地址	410000湖南省长沙市雨花区振华路579号康庭园一期18号栋北侧一层、二层
法律状态	-

摘要

本发明提供一种嵌入量子线的超晶格材料及其制备方法、红外波段发光材料和探测器。嵌入量子线的超晶格材料包括层叠设置的至少一个InAs/GaSb层和至少一个单一物质层；InAs/GaSb层包括InAs部分和GaSb部分，单一物质层包括InAs或GaSb；InAs部分和GaSb部分交替排列且沿其排列方向的宽度不同。嵌入量子线的超晶格材料的制备方法：按照结构依次在衬底上生长InAs/GaSb层和单一物质层。红外波段发光材料，包括嵌入量子线的超晶格材料。探测器，包括红外波段发光材料。本申请提供的嵌入量子线的超晶格材料，将量子线引入II型超晶格中形成线‑超晶格复合结构，可提高器件工作温度，提升材料光电性能。