一种硅CMP浆料及其使用该CMP浆料的抛光方法
基本信息
| 申请号 | CN201610246998.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107304330A | 公开（公告）日 | 2017-10-31 |
| 申请公布号 | CN107304330A | 申请公布日 | 2017-10-31 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01)I;B24B37/00(2012.01)I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 仲跻和 | 申请（专利权）人 | 江苏天恒纳米科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226601 江苏省南通市城东镇东海大道(东)18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅CMP浆料及其使用该CMP浆料的抛光方法，包括CMP浆料组合物和研磨料，CMP组合物包括至少一种阴离子聚合物表面活性剂、粘度调节剂、螯合剂和研磨助剂，研磨料为纳米级二氧化硅溶胶，阴离子聚合物表面活性剂为羧酸盐、磺酸盐、磷酸酯中的任意一种或一种以上的组合，螯合剂为有机化合物，研磨助剂为非离子聚合物颗粒。本发明研磨料采用纳米级二氧化硅溶胶，具有研磨料粒径小、表面张力小、容易清洗等优点，而且抛光速度快，可达到(0.8～1.5μm/min)，在高温时不会出现非均化蚀坑，大大的提高了抛光质量，可广泛应用于硅晶片抛光工艺中及其他半导体材料的抛光工艺。 |
