一种具有低漏电高稳定性的沟槽型SGT-MOS器件制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110475043.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113224151A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113224151A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | H01L29/51;H01L29/423;H01L21/28 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高耿辉;苏柳青 | 申请（专利权）人 | 厦门吉顺芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郭东亮;蔡学俊 |
| 地址 | 361021 福建省厦门市集美区集美北部工业区环珠路501号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种具有低漏电高稳定性的沟槽型SGT‑MOS器件，所述器件的外延层（1）处设有若干内置有多晶固体（15）的沟槽（12）；所述多晶固体呈I型结构；所述沟槽的底部及内侧壁处均设有与多晶固体贴合的绝缘层；所述沟槽内侧壁处的绝缘层的顶部低于外延层，使绝缘层、外延层和多晶固体的侧壁围成位于I型多晶固体侧壁处的两个介质槽（18）；所述绝缘层为包括第一绝缘结构（13）、第二绝缘结构（14）的组合结构；本发明改善了器件内部两侧的介质槽生长介质时，介质厚度不均，厚度不容易控制，栅极与源极的漏电大的问题。 |
