具有深槽和T‑POLY结构的沟槽型MOS肖特基整流器及制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

具有深槽和T‑POLY结构的沟槽型MOS肖特基整流器及制造方法

基本信息

申请号	CN201610801864.2	申请日	-
公开（公告）号	CN106328690A	公开（公告）日	2017-01-11
申请公布号	CN106328690A	申请公布日	2017-01-11
分类号	H01L29/06(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	高耿辉;焦世龙;高秀秀	申请（专利权）人	厦门吉顺芯微电子有限公司
代理机构	福州元创专利商标代理有限公司	代理人	厦门集顺半导体制造有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司;友顺科技股份有限公司;厦门吉顺芯微电子有限公司
地址	361021 福建省厦门市集美北部工业区
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种具有深槽和T‑POLY结构的沟槽型MOS肖特基整流器及制造方法，包括外延层，外延层上沿横向间隔刻蚀形成若干个纵向的沟槽，所述沟槽自外延层的上表面向下延伸，所述外延层的厚度为D，其中D大于0，所述沟槽的深度为；每个沟槽的底部以及两内侧壁均设有绝缘介质，位于两内侧壁的绝缘介质呈台阶状；每个沟槽内淀积有多晶，多晶呈T型结构，多晶由横向肩部和纵向延伸部组成，横向肩部的上表面与外延层的上表面平齐，下表面延伸至纵向延伸部的上表面；横向肩部的厚度为沟槽深度的三分之一至二分之一。本发明在高反向偏置下，增加了的电势纵向降落空间，改善了沟槽底部拐角附近和氧化物内部的电场分布以及减小势垒金属附近电场强度。