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一种肖特基pn结集成器件

基本信息

申请号 CN201620750249.9 申请日 -
公开（公告）号 CN205881913U 公开（公告）日 2017-01-11
申请公布号 CN205881913U 申请公布日 2017-01-11
分类号 H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 高秀秀 申请（专利权）人 厦门吉顺芯微电子有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 361000 福建省厦门市集美北部工业区
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种肖特基pn结集成器件，包括P基区、肖特基势垒金属层，肖特基势垒金属层位于在P基区的顶端，P基区上设有N基区、P+阳极发射区，N基区位于P基区的上侧，P+阳极发射区位于P基区的下侧，N基区上设有两个P+保护环、N+发射区，两个P+保护环、N+发射区都位于N基区的上方，两个P+保护环都与肖特基势垒金属层相连接，肖特基势垒金属层为正极A，N+发射区为负极，P+阳极发射区为正极B。本实用新型提高了肖特基二极管的反向耐压值，并降低通态压降，增大了通态电流。因此，本实用新型保持了超高速开通、低通态压降的优良特性，并满足电力电子对肖特基二极管高反向耐压值的要求。