一种具有错位排列的超结P区的高压MOSFET
基本信息
| 申请号 | CN201621048771.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206250204U | 公开（公告）日 | 2017-06-13 |
| 申请公布号 | CN206250204U | 申请公布日 | 2017-06-13 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高秀秀;焦世龙;高耿辉;陈利 | 申请（专利权）人 | 厦门吉顺芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361008 福建省厦门市软件园二期观日路48号701单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种具有错位排列的超结P区的高压MOSFET，包括金属层A、N+衬底、P串区、P柱区、第五层外延层、第六层外延层、栅氧化层、金属层B、多晶硅栅，金属层A、N+衬底、P串区、P柱区、第五层外延层、第六层外延层从下至上依次排列，多晶硅栅位于栅氧化层内部，金属层B引出S极，多晶硅栅引出G极，金属层A引出D极，第五层外延层内设有P埋层，所述P埋层为若干个离子注入区，所述若干个离子注入区呈错位交叉排列分布。本实用新型的高压MOSFET耐压值高，抗电荷偏移影响的能力增强，可靠性提高，其工艺简单，提高效率和功率器件的良品比例，降低成本。 |
