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一种具有错位排列的超结P区的高压MOSFET及其制造方法

基本信息

申请号 CN201610816169.3 申请日 -
公开（公告）号 CN106206742A 公开（公告）日 2016-12-07
申请公布号 CN106206742A 申请公布日 2016-12-07
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 高秀秀;焦世龙;高耿辉;陈利 申请（专利权）人 厦门吉顺芯微电子有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 361008 福建省厦门市软件园二期观日路48号701单元
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有错位排列的超结P区的高压MOSFET及其制造方法，包括金属层A、N+衬底、P串区、P柱区、第五层外延层、第六层外延层、栅氧化层、金属层B、多晶硅栅，金属层A、N+衬底、P串区、P柱区、第五层外延层、第六层外延层从下至上依次排列，多晶硅栅位于栅氧化层内部，金属层B引出S极，多晶硅栅引出G极，金属层A引出D极，第五层外延层内设有P埋层，所述P埋层为若干个离子注入区，所述若干个离子注入区呈错位交叉排列分布。本发明的高压MOSFET耐压值高，抗电荷偏移影响的能力增强，可靠性提高，其工艺简单，提高效率和功率器件的良品比例，降低成本。