一种N沟埋栅SITH型的ESD保护器件
基本信息
| 申请号 | CN201620745547.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206098396U | 公开（公告）日 | 2017-04-12 |
| 申请公布号 | CN206098396U | 申请公布日 | 2017-04-12 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高秀秀;陈利;张军亮;高耿辉 | 申请（专利权）人 | 厦门吉顺芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361000 福建省厦门市集美北部工业区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种N沟埋栅SITH型的ESD保护器件，包括透明阴极N+区、外延N‑区、埋栅PBL区、衬底N‑区、透明阳极P+区，埋栅PBL区位于外延N‑区和衬底N‑区之间，外延N‑区和衬底N‑区都与埋栅PBL区相连，透明阴极N+区与衬底N‑区相连，透明阳极P+区与外延N‑区相连，透明阳极P+区引出A极，埋栅PBL区的两侧都引出G极，透明阴极N+区引出K极。本实用新型在关闭状态时，漏电流小；导通状态时，功耗小，同时泄放ESD电流容量大，开关响应速度快，能在高压和低压之间自如切换；本实用新型工作安全、可靠性高。 |
