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一种具有双门极的双波状基区GCT器件

基本信息

申请号 CN201620749835.1 申请日 -
公开（公告）号 CN205881908U 公开（公告）日 2017-01-11
申请公布号 CN205881908U 申请公布日 2017-01-11
分类号 H01L29/744(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 高秀秀 申请（专利权）人 厦门吉顺芯微电子有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 361000 福建省厦门市集美北部工业区
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种具有双门极的双波状基区GCT器件，包括N‑基区、N基区、P基区、N+阴极发射区、P+阳极发射区，N‑基区位于P基区与N基区之间，N‑基区与P基区的交界处为JB结，N‑基区与N基区的交界处为JA结，JB结、JA结都呈波状，P+阳极发射区与N基区相连，N+阴极发射区与P基区相连，N+阴极发射区与P基区的交界处为JC结，N+阴极发射区引出K极，P基区的两侧都引出G1极，N基区两侧都引出G2极，P+阳极发射区引出A极。本实用新型提高了器件芯片利用率和响应频率，通态电流密度更大，开关速度更快，更均匀，通态功耗和开关功耗小，工作频率高。