具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110460839.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113066856A | 公开（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申请公布号 | CN113066856A | 申请公布日 | 2021-07-02 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高耿辉;田洪光;黄福成;李晓婉;曲艳凯 | 申请（专利权）人 | 厦门吉顺芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人 | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址 | 361021 福建省厦门市集美区集美北部工业区环珠路501号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种具有双层外延结构的TrenchMOS肖特基整流器件及制造方法，其特征在于：带有双层外延结构，其上下两层N型掺杂外延层的掺杂浓度和厚度不同。该方案在保障保证反向电压和反向漏电特性的前提下，实现了正向压降；并通过双层外延结构，由于上层外延浓度低的特点改善了反向偏置下势垒金属附近电场强度；下层外延浓度高可以降低正向导通时提电阻。 |
