三维集成电路结构及材料的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201210016388.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102543855B | 公开（公告）日 | 2014-07-09 |
| 申请公布号 | CN102543855B | 申请公布日 | 2014-07-09 |
| 分类号 | C23C18/38(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 郭福春;刘冬生 | 申请（专利权）人 | 天津市鑫盛典当行有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 300385 天津市西青经济开发区宏源道12号天直工业园4号B座 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种新型的三维集成电路结构及材料的制造方法，步骤是在热塑性承载材料中加入醇类和/或醛类，用注塑机注塑成型为构件，质量含量5-10％；用激光射线在构件的表面照射出的线路图案；浸入pH＝4-6的至少一种金属离子的溶液浸泡5-7分钟，水洗后放入pH＝5的含有还原剂的水溶液中浸泡5-7分钟，在还原生成金属核的区域进行化学镀铜，镀层厚度为1-12微米，再中磷化学镀镍，镀层厚度为2-3微米。本发明在制备金属电路导体的过程中，由于塑性材料中不含有任何金属元素，保持了承载材料的原有机械性能，而且性能稳定，提高了导体轨道与承载材料之间的附着力，提高了三维集成电路的质量，降低了成本，减少了污染。 |
