一种富集10B的碳化硼中子吸收屏蔽材料的制备方法
基本信息
申请号 | CN201410124948.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN103936422A | 公开(公告)日 | 2014-07-23 |
申请公布号 | CN103936422A | 申请公布日 | 2014-07-23 |
分类号 | C04B35/563(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 分类 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
发明人 | 吴旭光;曹宝胜;韩晓辉;韩玉成 | 申请(专利权)人 | 大连博恩坦科技有限公司 |
代理机构 | 沈阳东大知识产权代理有限公司 | 代理人 | 大连博恩坦科技有限公司 |
地址 | 116113 辽宁省大连市甘井子区振兴路205号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及防护和控制材料技术领域,具体涉及一种富集10B的碳化硼中子吸收屏蔽材料的制备方法。本发明是将97~99质量份的富集10B碳化硼粉体与1~3质量份的胶黏剂以去离子水为介质混合形成混合物料烘干,将烘干后物料放入真空烧结炉内进行有压或无压烧结,控制炉内真空度达到5~40Pa,得到密度为1.8~2.48g/cm3的富集10B碳化硼中子吸收屏蔽材料。本发明的碳化硼粉末压制的制品,中子吸收能力大大提高,在反应堆内使用的过程中,不会引入其他杂质,能够保证反应堆的安全运行和使用寿命。 |
