以氮化物薄膜为绝缘埋层的SOI材料及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610792264.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107785304B | 公开（公告）日 | 2020-03-20 |
| 申请公布号 | CN107785304B | 申请公布日 | 2020-03-20 |
| 分类号 | H01L21/762 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李慧;杨文奇 | 申请（专利权）人 | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人 | 许宗富;周秀梅 |
| 地址 | 110179 辽宁省沈阳市沈阳出口加工区浑南东路15-22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种以氮化物薄膜为绝缘埋层的SOI材料及其制备方法，属于半导体材料制造技术领域。利用PECVD的方法制备具有良好导热性能、结构致密的氮化物复合型绝缘薄膜，并与氢离子注入、晶圆键合、退火、磨抛和微波裂片等工艺相结合，制备以氮氧化硅/氮化硅/氮氧化硅复合薄膜为绝缘层的SOI结构，这种SOI材料的导热性能优于常规SiO2为绝缘埋层的SOI，更加适应高温、大功率SOI电路的需要。此外，氮化硅的介电常数均大于SiO2的介电常数，可作为栅极介质候选材料。 |
