一种特殊结构的SOI及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111524906.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114188362A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114188362A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01L27/12（2006.01）I;H01L21/78（2006.01）I;H01L21/762（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高文琳 | 申请（专利权）人 | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 110000辽宁省沈阳市出口加工区浑南东路15-22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种特殊结构的SOI的制备方法，属于半导体的制备技术领域。一种特殊结构的SOI由衬底层、器件层、绝缘层、薄膜层组成，其中衬底层和器件层为下述几种之一：硅、碳化硅、氮化镓等Ⅲ‑Ⅴ族化合物；绝缘层为二氧化硅，可以仅在器件层或在衬底层和器件层上沉积所得；薄膜层为下述几种之一：多晶硅层以及非晶硅层，可以在生长绝缘层的衬底层或可直接在衬底层上沉积所得。本发明主要应用于射频领域，本发明所制备的特殊结构的SOI，依靠Ⅲ‑Ⅴ族化合物的优势，同时引入了非晶或多晶层，极大地提升了射频性能，因此，本发明制备的特殊结构的SOI产品具有极高的市场价值和社会价值。 |
