一种双面注入得到SOI的方法
基本信息
| 申请号 | CN201810075765.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110085549A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN110085549A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | H01L21/762 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘洋 | 申请（专利权）人 | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 110000 辽宁省沈阳市浑南区沈阳出口加工区浑南东路15-22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种双面注入得到SOI的方法，其依次按照下述要求进行操作：①对硅片氧化，之后在硅片正面或/和背面注入氢离子H+；②注入后的硅片与下述结构同时键合、裂片，同时得到两片SOI：2片硅片、2片氧化片，1片硅片和1片氧化片；③得到两片不同规格的SOI或两片相同规格的SOI；不同规格的SOI的区别是：顶硅厚度不同，厚度范围是：1‑1000nm；衬底片的电阻率/含氧/碳量不同。本发明有效减少了硅片正面注入带来的损伤，使H+分布更均匀，裂片后SOI表面颗粒较好；适合工业化生产，生产效率高；其具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。 |
