一种去除TM-SOI顶层硅缺陷的方法
基本信息
| 申请号 | CN201610025528.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106981451B | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN106981451B | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 高文琳;柳清超;孙伟 | 申请（专利权）人 | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人 | 许宗富;周秀梅 |
| 地址 | 110179辽宁省沈阳市沈阳出口加工区浑南东路15-22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种去除TM‑SOI顶层硅缺陷的方法，属于SOI制备技术领域。该方法是将TM‑SOI形成的SOI硅片，采用HCl化学腐蚀除去薄膜SOI硅片表面的损伤层，与此同时在高温低压的环境下，对薄膜SOI顶层硅层中因注入造成的缺陷进行了修复，获得高质量的SOI硅片。应用此方法制备的SOI，不仅可以改善表面粗糙度，最重要的是可以修复SOI的缺陷，制备电特性极佳的SOI材料。 |
