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一种多层单晶硅薄膜的制备方法

基本信息

申请号	CN201810075920.8	申请日	-
公开（公告）号	CN110085510A	公开（公告）日	2021-06-04
申请公布号	CN110085510A	申请公布日	2021-06-04
分类号	H01L21/02	分类	基本电气元件;
发明人	党启森	申请（专利权）人	沈阳硅基科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	110000 辽宁省沈阳市浑南区沈阳出口加工区浑南东路15-22号
法律状态	-

摘要

一种多层单晶硅薄膜的制备方法，依次按照下述要求制备多层单晶硅薄膜：①首先，取两片表面洁净的单晶硅片采用等离子激活技术处理硅片表面后，进行预键合；②将键合后的硅片，传送至在200‑300℃的温度退火炉内进行6‑10小时的退火，既防止了过渡区的产生又将此两片硅片完成彻底键合，③将退火后的键合片进行减薄处理以达到需求的目标厚度；④将减薄处理后的SOI片，重新按照一片单晶硅片与另一片单晶硅片再次进行①‑③的操作，得到多层单晶硅薄膜。本发明采用等离子激活技术处理过的硅片键合时预键合力大，退火后键合效果优良；各层界面无明显电阻过渡区；可以对各层单晶硅的厚度进行有效控制；其综合技术效果良好；具有较为巨大的经济价值和社会价值。