一种非接触无损伤的测量外延SOI外延层电阻率的方法
基本信息
| 申请号 | CN201610079153.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107026097B | 公开（公告）日 | 2020-03-20 |
| 申请公布号 | CN107026097B | 申请公布日 | 2020-03-20 |
| 分类号 | H01L21/66 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 付超凡;柳清超;高文琳 | 申请（专利权）人 | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人 | 许宗富;周秀梅 |
| 地址 | 110179 辽宁省沈阳市沈阳出口加工区浑南东路15-22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种非接触无损伤的测量外延SOI外延层电阻率的方法，该方法针对外延SOI外延层进行电阻率的测量，为了达到测量精准的效果，首先对外延SOI表面进行特定的预处理，使表面的缺陷及电学参数达到所需要求。再施加特定电压，根据C‑V曲线算出电阻率。最终结果误差小于0.1％。本发明为非接触式测量，具有非破坏性、无损伤性、可重复利用等优点。在实际生产中，被测外延SOI仍然可以使用。大大的提高了产品良率，节约了成本。 |
