一种贯穿空腔结构硅片的加工方法
基本信息
| 申请号 | CN201810075852.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110078017B | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN110078017B | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | B81C1/00（2006.01）I;B81C3/00（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 李响 | 申请（专利权）人 | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 110000辽宁省沈阳市浑南区沈阳出口加工区浑南东路15-22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种贯穿空腔结构硅片的加工方法，其特征在于：其依次按照下述要求进行操作：对硅片或图形片进行离子注入；植入假底，使用硅片与图形片键合；磨抛，减薄图形片至露出图形的深度；键合；剥离假底。相对于现有技术而言，本发明操作规范，产品质量能够得到有效保证；且产品的性价比高，综合技术效果优良；其具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。 |
