一种电容耦合PECVD装置用的基底材料载体
基本信息
| 申请号 | CN201810726972.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110629189A | 公开（公告）日 | 2019-12-31 |
| 申请公布号 | CN110629189A | 申请公布日 | 2019-12-31 |
| 分类号 | C23C16/26（2006.01）; C23C16/458（2006.01）; C23C16/513（2006.01） | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 郝奕舟; 陈剑豪; 王天戌 | 申请（专利权）人 | 广州墨羲科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 510623 广东省广州市越秀区水荫路119号星光映景A中心10楼1001 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种电容耦合PECVD装置用的基底材料载体，属于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备的技术领域，包括电极片、基底材料夹持片、连接组件，其中，连接组件包括多个连接杆、间隔管和紧固螺母，多个连接杆穿入电极片和基底材料夹持片上开的多个槽孔中，间隔管套在连接杆上，间隔各片，连接杆两端使用紧固螺母紧固。通过本发明提供的技术方案，实现了在电容耦合PECVD生产石墨烯的工艺过程中，对基底材料为金属箔片的承载和等离子体的产生，解决了现有的大型电容耦合PECVD设备中没有适用于金属箔片的载体的技术空白。 |
