拉制低光衰单晶的工艺及单晶、硅棒、硅片、电池及组件
基本信息
| 申请号 | CN202010585877.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113832542A | 公开（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申请公布号 | CN113832542A | 申请公布日 | 2021-12-24 |
| 分类号 | C30B29/06（2006.01）I;C30B15/04（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I;H01L31/042（2014.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杨志;王建平;乌恩;王林;徐强 | 申请（专利权）人 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 010070内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种拉制低光衰单晶的工艺，在装料时，将多晶硅原料与掺杂剂装入坩埚内，进行直拉单晶；以及，在稳温至等径阶段，采用高晶转工艺，高晶转工艺为晶转大于10rpm；拉制多颗短段单晶。本发明的有益效果是采用直拉法进行单晶的拉制，在拉制单晶过程中，在拉制初始及复投、炉台异常时，加入掺杂剂，同时，在稳温至等径阶段，采用高晶转工艺进行单晶的拉制，并采用自动转肩工艺和多颗短段单晶拉制工艺，减少单晶的RRV不良，降低单晶衰减率。 |
