一种单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010116915.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113373510A | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN113373510A | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 赵国伟;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;刘学;刘有益;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 | 申请（专利权）人 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 010070内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺，在单晶断苞后自动阶段下降进行回熔单晶回熔时，在每一阶段中，测量回熔单晶的初始重量，并将该回熔单晶下降一定距离至硅溶液液面下，在预设的回熔时间内进行回熔，当达到回熔时间后，进行回熔单晶是否回熔完的判定，若硅溶液内的回熔单晶回熔完，进行下一阶段下降回熔单晶回熔；否则，进行回熔状态判定。本发明的有益效果是采用自动控制，对断苞后的单晶进行阶段性回熔，且在每一阶段回熔时，自动进行单晶是否回熔完判断，降低劳动强度，提高工作效率，自动化程度高。 |
