一种单晶断苞后自动回熔工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010116914.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113373509A | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN113373509A | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 赵国伟;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;刘学;刘有益;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 | 申请（专利权）人 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 010070内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种单晶断苞后自动回熔工艺，包括以下步骤，S1：进行坩埚内硅溶液升温；S2：升温结束后，自动阶段下降回熔单晶进行回熔，并在每一阶段回熔时，判定回熔单晶回熔状态，直至回熔单晶的重量达到降温初始单晶重量；降低硅溶液温度，在此降温过程中继续自动阶段下降回熔单晶回熔，直至回熔单晶的重量达到恢复引晶功率单晶重量，将硅溶液的温度维持在引晶温度，继续回熔单晶回熔，直至回熔单晶回熔完；S3：进行稳温、引晶。本发明的有益效果是采用自动化控制，对断苞后的单晶进行阶段性回熔，且在每一阶段回熔时，自动进行单晶是否回熔完判断，降低劳动强度，提高工作效率，自动化程度高。 |
