一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置
基本信息
| 申请号 | CN202121245811.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215277239U | 公开（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申请公布号 | CN215277239U | 申请公布日 | 2021-12-24 |
| 分类号 | B01J8/10（2006.01）I;B02C4/02（2006.01）I | 分类 | 一般的物理或化学的方法或装置; |
| 发明人 | 何珂;戈烨铭;汤晓春 | 申请（专利权）人 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 江阴市轻舟专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹键 |
| 地址 | 214423江苏省无锡市江阴市周庄镇欧洲工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种半导体用高选择比硅蚀刻液的制备装置，包括支撑机构；所述支撑机构顶部的一侧安装有智能控制器，所述支撑机构的顶部通过固定杆安装有隔热罐，所述隔热罐的内部设有反应罐，所述反应罐顶部的一侧设有破碎装置，所述反应罐的内部设有搅拌装置,所述隔热罐与反应罐之间设置有水腔，所述隔热罐顶部一侧设有进水口；本实用新型通过反应罐顶部一侧设置的破碎装置将固体的盐酸和硝酸在通过第一粉碎辊和第二粉碎辊啮合转动时碾碎成粉后掉落到反应罐的内部，粉状的盐酸和硝酸能够快速与水发生化学反应，再通过搅拌装置的搅拌，能够加快反应的速率，从而提高制备硅蚀刻液的生产效率。 |
