一种提高烧结钕铁硼薄片磁体性能的方法
基本信息

| 申请号 | CN201310301718.X | 申请日 | - |
| 公开(公告)号 | CN103366943B | 公开(公告)日 | 2016-01-27 |
| 申请公布号 | CN103366943B | 申请公布日 | 2016-01-27 |
| 分类号 | H01F41/02(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李海晞;丁勇;吕向科;蒋小察;张民 | 申请(专利权)人 | 宁波韵升高科磁业有限公司 |
| 代理机构 | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 宁波韵升股份有限公司;宁波韵升磁体元件技术有限公司;宁波韵升磁性材料有限公司;宁波韵升高科磁业有限公司;宁波韵升特种金属材料有限公司;包头韵升强磁材料有限公司 |
| 地址 | 315040 浙江省宁波市江东区民安路348号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要

| 摘要 | 本发明公开了一种提高烧结钕铁硼薄片磁体性能的方法,该方法将烧结钕铁硼磁体加工成烧结钕铁硼薄片磁体,所述的烧结钕铁硼薄片磁体的厚度小于14mm;对烧结钕铁硼薄片磁体进行去污、去油、去磁粉和表面预处理;对烧结钕铁硼薄片磁体的表面进行物理气相沉积处理,其中沉积膜为重稀土合金膜,沉积膜厚度≤20μm;将经过物理气相沉积处理的烧结钕铁硼薄片磁体进行二级晶界热处理;优点是重稀土合金膜对烧结钕铁硼薄片磁体的表面主相及晶界相进行填充和修补,部分重稀土合金膜进入主相晶粒的外延层,部分重稀土合金膜中的元素扩散进入晶界相,由此在保证烧结钕铁硼薄片磁体的剩磁和最大磁能积基本不下降的基础上,提高了烧结钕铁硼薄片磁体的矫顽力。 |





