基于半导体集成电路的混合成像探测器芯片及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111157221.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113594193B | 公开（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申请公布号 | CN113594193B | 申请公布日 | 2022-01-25 |
| 分类号 | H01L27/146（2006.01）I;G01J5/20（2006.01）I;G01J1/42（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘伟;王鹏;郭得福;马仁旺;段程鹏;欧秦伟 | 申请（专利权）人 | 西安中科立德红外科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孟秀娟;黄健 |
| 地址 | 710117陕西省西安市高新区毕原二路3000号硬科技企业社区8幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例提供一种基于半导体集成电路的混合成像探测器芯片及制备方法，涉及半导体技术领域，该混合成像探测器芯片包括基底、反射层和微桥结构，反射层包括相互绝缘且位于同一层的第一反射层和第二反射层；微桥结构包括第一桥梁、第二桥梁和桥面，桥面的电极层包括相互绝缘设置的第一电极层和第二电极层。本申请实施例通过使第一电极层与第一反射层和第二反射层中之一连接，第二电极层与第一反射层和第二反射层中另一个连接，使得第一反射层与第一电极层或者第二电极层上电子均衡，第二反射层与第二电极层或者第一电极层上的电子均衡，防止反射层与电极层之间产生静电吸附作用，进而避免微桥结构发生坍塌，提高了混合成像探测器芯片的良率。 |
