一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010606899.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111916528B | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN111916528B | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/0288;H01L31/0216 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨智;魏青竹;倪志春;钱洪强;连维飞;张树德;赵保星 | 申请（专利权）人 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 代理机构 | 苏州华博知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨敏 |
| 地址 | 215542 江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括对P型单晶硅片的正面制绒，和形成磷掺杂面，制备选择性发射极；且述P型单晶硅片采用背靠背的方式放置，在背面沉积AlOx层；且在所述正面和背面沉积SiNx层；然后对所述P型单晶硅片进行退火工艺。本发明通过在在SiNx镀膜后，增加退火步骤，调节晶体硅电池内氢浓度，降低由过量氢元素造成的的热辅助光致衰减，进而提高了晶体硅电池封装组件的输出功率。 |
