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一种钝化接触栅线的太阳能电池结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN202011644553.2 申请日 -
公开（公告）号 CN114695573A 公开（公告）日 2022-07-01
申请公布号 CN114695573A 申请公布日 2022-07-01
分类号 H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/20（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 赵保星;连维飞;张树德;符欣;魏青竹;倪志春 申请（专利权）人 苏州腾晖光伏技术有限公司
代理机构 苏州华博知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 215500江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及了一种钝化接触栅线的太阳能电池结构及其制备方法，钝化接触栅线的太阳能电池结构，包括：p型硅基底层；正面电极，设于所述p型硅基底层上表面的栅线区域；钝化隧穿结构层，设于所述p型硅基底层、所述正面电极两者之间，所述钝化隧穿结构层包括由下至上依次堆叠设置的氧化硅隧穿层与掺杂多晶硅层；以及正面电池结构，包括：n++扩散层，所述n++扩散层堆叠设置于所述p型硅基底层上、且位于所述p型硅基底层上表面的非栅线区域。通过上述设置，可解决目前poly‑finger技术制备工艺难度大、poly‑finger结构的隧穿接触效果较差导致电池性能较差的问题。