一种高效异质结电池结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011643595.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695588A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695588A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L31/0725（2012.01）I;H01L31/074（2012.01）I;H01L31/20（2006.01）I;H01L21/30（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵保星;张树德;符欣;连维飞;魏青竹;倪志春 | 申请（专利权）人 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 代理机构 | 苏州华博知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215500江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及了一种高效异质结电池结构及其制备方法，高效异质结电池结构包括：中间电池结构，设有n型单晶硅层；正面电池结构，包括依次堆叠设置的正面本征非晶硅层、p型掺杂氢化氧化硅层以及p型掺杂非晶硅层；以及背面电池结构，包括相反方向依次堆叠设置的背面本征非晶硅层、n型掺杂氢化氧化硅层以及n型掺杂非晶硅层；其中，p型掺杂非晶硅层、n型掺杂非晶硅层两者的厚度范围均为1～5nm，p型掺杂氢化氧化硅层、n型掺杂氢化氧化硅层两者的厚度范围均为10～20nm。通过上述设置，可解决现有的异质结电池结构中由于掺杂非晶硅层的厚度与性能两者矛盾对立导致的电池转换效率低的问题。 |
