一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201710149265.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108573986A | 公开（公告）日 | 2018-09-25 |
| 申请公布号 | CN108573986A | 申请公布日 | 2018-09-25 |
| 分类号 | H01L27/146 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 董长春;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨伽马光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区中源大道15199号企业加速器4号楼3单元3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及了CMOS图像传感器领域，尤其是涉及了一种背照式款动态范围图像传感器的制作方法。本发明通过在背面制作深槽隔离和P阱注入，减小了器件间像素单元的电光学串扰，增大了器件的满井容量，同时在背面进行离子注入减小背面照光后扩散电子引起的电学串扰。而CMOS像素单元结构采用5T有源像素结构作为单元结构，五管有源像素由于采用全并行曝光模式，像素势阱很快被填满，提高了图像传感器的动态范围。 |
