硅基CMOS集成128×128面阵APD传感器
基本信息
| 申请号 | CN201621489910.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206451711U | 公开（公告）日 | 2017-08-29 |
| 申请公布号 | CN206451711U | 申请公布日 | 2017-08-29 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 路悦新;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨伽马光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区中源大道15199号企业加速器4号楼3单元3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种硅基CMOS集成128×128面阵APD传感器。如图：利用CMOS标准工艺，在硅基衬底上同时实现128×128阵列APD探测器和CMOS接口电路单片集成，通过合理优化的布局，利用三层金属布线及钝化工艺，实现APD面阵与CMOS接口电路的有效连接并形成集成化芯片。该器件集成结构不仅能够有效减小面阵APD传感器件的尺寸、噪声及寄生效应，同时也有效提高面阵APD的探测效率和速度。 |
