基于硅基双环结构的APD探测器制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

基于硅基双环结构的APD探测器制备方法

基本信息

申请号	CN201810051140.X	申请日	-
公开（公告）号	CN110061091A	公开（公告）日	2019-07-26
申请公布号	CN110061091A	申请公布日	2019-07-26
分类号	H01L31/18;H01L31/107	分类	基本电气元件;
发明人	孙芳魁;赵永红	申请（专利权）人	哈尔滨伽马光电科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	150010 黑龙江省哈尔滨市松北区中源大道15199号4号楼3单元3层
法律状态	-

摘要

基于硅基双环结构的APD探测器制备方法，本发明属于探测器领域，其中包括P+衬底（1），位于衬底上方p‑外延层作为探测器的π型吸收区（2），在外延层上制作保护环APD探测器结构包括：接触区N+（3）和保护环N+（4）组成APD探测器的双环结构，在外延层上制备倍增区P+（5），而光敏面采用SiO2（6）、PSG（7）和Si3N4（9）组成的光敏感层，提高APD探测器对光的透过率，因此提供器件的吸收效率；本发明区别于传统APD探测器主要是采用双环结构，增加了器件的感光面积，提高APD探测器的探测效率、响应度，并解决了APD探测器的高电压下边缘局部提前击穿效应；生产工艺采用高能离子注入和退火工艺制作，有效提高器件的成品率降低暗电流。