硅基Si/Si
基本信息
| 申请号 | CN201811617182.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111384196A | 公开（公告）日 | 2020-07-07 |
| 申请公布号 | CN111384196A | 申请公布日 | 2020-07-07 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙芳魁;赵永红 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨伽马光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 150027黑龙江省哈尔滨市松北区中源大道15199号4号楼3单元3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 硅基Si/Si1‑xGex量子阱APD,本发明属于探测器领域，其中包括P+衬底（1），P+衬底（1）上外延10微米P‑外延层（2），在P‑外延层（2）上外延22nm厚的Si/Si1‑xGex量子阱结构（3），在所述的Si/Si1‑xGex量子阱结构上方外延2微米的P‑型外延层（4），在Si/Si1‑xGex量子阱结构上方依次为APD的场控区、倍增区、N型注入区。本发明将Si/Si1‑xGex量子阱结构加入APD的吸收区，通过Si/Si1‑xGex形成的既是量子阱又是光波导的结构陷入更多的光子并增加长波长光子在窄带隙Si1‑xGex的本征吸收，进而提高APD的长波长范围的吸收率并拓宽吸收光谱波长范围。最终设计出一款红外吸收增强并设计出波长截止为1.32um的硅基Si/Si1‑xGex量子阱红外探测APD像元，起到吸收红外红移的效果，并提高了硅基APD的信噪比，有效抑制噪声。 |
