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一种掺杂结构阵列及光调制器

基本信息

申请号 CN202010998456.7 申请日 -
公开（公告）号 CN112068335A 公开（公告）日 2020-12-11
申请公布号 CN112068335A 申请公布日 2020-12-11
分类号 G02F1/025(2006.01)I 分类 光学;
发明人 郑俊守;黄小伟;夏晓亮 申请（专利权）人 杭州芯耘光电科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 311100浙江省杭州市余杭区余杭经济开发区超峰东路2号南楼511室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种掺杂结构阵列及光调制器，掺杂结构阵列包括基板，设置在基板上面的第一半导体、第二半导体；第一半导体外接电极平行设置于第一方向，且与第一半导体接触；第二半导体外接电极与所述第一半导体外接电极平行于同一平面，且与第二半导体接触；所述第一半导体与第二半导体交错排列为第一半导体、第二半导体阵列，以使阵列中的第一半导体两两接触、第二半导体两两接触，通过增大/多载流子耗散区，从而增大光场所在区域与载流子耗散区重合面积，以提高电光调制器的调制效率。同时优化了外接电极结构，减小了调制器芯片体积，能够很好的适应高集成度芯片发展趋势。