一种单晶生长过程压力监控系统
基本信息
| 申请号 | CN202011240163.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112362222B | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN112362222B | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | G01L11/00（2006.01）I;G01M3/28（2006.01）I;G01D21/02（2006.01）I;H02K7/116（2006.01）I;H02K7/10（2006.01）I;H02K7/06（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨晶创科技有限公司 |
| 代理机构 | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 韩立岩 |
| 地址 | 150000黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1层112室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种单晶生长过程压力监控系统，其技术方案是：包括底板，所述底板顶部固定连接有石英坩埚和储气罐，所述石英坩埚位于储气罐一侧，所述石英坩埚一侧设有压紧机构；所述压紧机构包括密封罩，所述密封罩固定连接在石英坩埚一侧，所述密封罩位于石英坩埚和储气罐内侧，所述密封罩内部嵌设有基座，一种单晶生长过程压力监控系统有益效果是：通过设置压紧机构，可在压力调节时，两个夹座同时靠近将支管和接口夹紧，保证接口和支管连接的可靠性，避免泄露发生，同时还可实时对石英坩埚、储气罐和密封罩内部进行压力监测，并可通过密封罩内部压力变化判断是否泄露，好及时通知维修。 |
