一种高质量晶片镀膜装置
基本信息
| 申请号 | CN202021543720.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212732748U | 公开（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申请公布号 | CN212732748U | 申请公布日 | 2021-03-19 |
| 分类号 | B05D3/02(2006.01)I;B05B13/02(2006.01)I;B05D3/04(2006.01)I;B05B14/40(2018.01)I;B05B16/20(2018.01)I | 分类 | 一般喷射或雾化；对表面涂覆液体或其他流体的一般方法〔2〕; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨晶创科技有限公司 |
| 代理机构 | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李晓敏 |
| 地址 | 150000黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1层112室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种晶片镀膜装置，晶体制备技术领域。解决的是现有的晶片镀膜后转移加热过程中易被污染的问题。包括真空壳体、旋转真空装置、加热器和雾化喷嘴，真空壳体的顶部安装有雾化喷嘴，真空壳体的侧壁上均布有加热器，真空壳体下侧安装有旋转真空装置，旋转真空装置包括旋转托盘、外部支撑轴和真空管，旋转托盘与外部支撑轴连接，真空管安装在外部支撑轴侧面，外部支撑轴上加工有真空通道，旋转托盘圆心位置加工有通孔，通孔通过真空通道与真空管连通。箱体内部四周分布的加热器可直接进行加热，对光刻胶进行坚膜，无需进行移动，避免了镀膜后转移过程中发生污染，保证对晶片高质量镀膜。 |
