半导体结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010322713.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113539794A | 公开（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申请公布号 | CN113539794A | 申请公布日 | 2021-10-22 |
| 分类号 | H01L21/027（2006.01）I;H01L21/033（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李天慧;于星;梁慧 | 申请（专利权）人 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 佟婷婷 |
| 地址 | 266000山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供半导体基底，形成第一掩膜单元、第二掩膜单元及第三掩膜单元，基述第一掩膜单元与第三掩膜单元对第二掩膜单元进行离子注入，于第二掩膜单元中形成至少一个注入区及至少一个非注入区，以基于经过离子注入后的第二掩膜单元、第一掩膜单元以及第三掩膜单元形成新的刻蚀掩膜层。本发明可以采用曝光‑凝固‑曝光‑刻蚀的工艺与倾斜离子注入的工艺相结合，从而可以简化工艺步骤，节约成本，提高工艺效率。本发明通过正性光刻胶的曝光及负显影方法制作图形，可有效提高的图形精度，为图形特征尺寸的微缩提供有效的保证，整个过程不需要特殊的工艺过程，整体工艺简单、成本低，生产率高。 |
